不止苹果！联发科投奔英特尔，1.4nm工艺却藏发热隐患

此前我们曾报道苹果计划与英特尔达成芯片供应协议，不止奔英在2027年或2028年，苹果让英特尔为非Pro版的科投开封市杞县公安局新闻网iPhone以及Mac和iPad产品线提供芯片代工服务，采用英特尔的工艺EMIB封装。

而根据最新的却藏爆料，英特尔又迎来一个大客户，发热那就是隐患联发科。

爆料称联发科将会采用英特尔14A打造天玑系列SoC，不止奔英不过外媒似乎有些担心英特尔14A先进制程的苹果开封市杞县公安局新闻网良率与功耗控制能否如期达标。

据了解，科投英特尔14A直接对标台积电14A工艺，工艺属于1.4nm级别。却藏英特尔14A工艺采用了第二代RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerDirect背面供电技术，发热相较于18A性能提升15%—20%，隐患功耗可以降低25%—35%。不止奔英

不过虽然PowerDirect背面供电技术让芯片能够提升晶体管密度，同时还可以带来更高、更稳定的频率，但是也有一个副作用，那就是会让芯片产生比较严重的自热效应。

如果这项技术是用于桌面处理器上，那么无可厚非。毕竟用户有各种主动散热方案可以解决发热的问题。但如果这项技术是用于手机SoC，那么手机有限的散热空间或将难以承载其发热负荷。

据了解，高通下一代旗舰芯片为了缓解散热问题，已经确定采用三星HPB散热技术。或许联发科也能够采用类似的技术来缓解芯片发热问题。

联发科虽然一直与台积电保持良好的合作关系，但台积电产能长期被英伟达、苹果等客户占据，而台积电产能越来越吃紧，联发科选择与英特尔合作，一定程度上可以缓解产能焦虑。

此外还有消息称英特尔EMIB封装成本较台积电CoWoS低30%—40%，也非常适合联发科芯片产品的市场定位。

(责任编辑：证券时间)